Overzicht van transistor types.

©J. Geus December 2017.

Transistors
BJT (Bipolair Junction Transistor)		FET (Field Effect Transistor)					IGBT (Insulated-Gate Bipolair Transistor)
Gewone Transistor. Gebruikt als schakelaar en versterker.		Verbeterde transistor met weinig vermogensdissipatie Gebruikt als versterker en vermogens-schakel transistor.					Hoog vermogens transistor, gebruikt in electronische electromotor besturing. (Variable Frequency Drive)
NPN	PNP	J-FET (Junction Field Effect Transistor)		MOSFET (Metal Oxide Silicium Field Effect Transistor)
		Depletion		Depletion	Enhangement
		N-channel	P-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel

Opm: De donker gekleurde zijn de meest gangbare MosFet's

De meest belangrijke verschillen tussen een BJT en een (mos)FET transistor:

De mate van geleiding van de transistor wordt bij een BJT bepaald door de grootte van de Stroom (I_b) die door de Basis-Emitter overgang stroomt.
Bij een FET wordt de mate van geleiding bepaald door de Spanning (U_gs) die over de Gate en Source wordt aangelegd.
De pin aansluitingen van een BJT heten: Emitter, Basis en Collector.
De (vergelijkbare) pin aansluitingen van een FET heten (resp.) Source, Gate en Drain.

De begrippen Enhancement en Depletion bij een (Mos)FET:

In een field-effect transistor loopt de stroom door Drain en Source via een z.g.n Channel. Dit Channel is gemaakt van halfgeleidermateriaal dat N (er zijn vrije electronen) of P (er zijn vrije "gaten") gedoteerd kan zijn. Om de geleiding van de transistor te kunnen regelen kan via de Gate een spanning worden aangelegd waar door er in het Channel een vernauwing optreed doordat er een "verarmd" gebied ontstaat waar er minder vrije electronen dan-wel gaten aanwezig zijn.
Enhancement betekent verrijken, Depletion is verarming.

In een Enhancement type FET is in normale toestand het Channel NIET geleidend en moet door middel van Enhancement de FET in geleiding worden gebracht. (Dit is bij MOSFET meestal het gevaL)
In een Depletion type FET is in normale toestand het Channel WEL geleidend en moet door het aanleggen van een tegengestelde Gatespanning het Channel verarmd worden om de geleiding van de FET te kunnen regelen. (dit is bij een JFET altijd het geval).

Let Op !
Een J-Fet is altijd van het type Depletion. De gatespanning moet altijd 0 of negatief ten opzichte van de Source zijn. Als de gatespanning Positief wordt aangelegd zal alle stroom door de Gate en niet door het Drain-Source Channel gaan lopen en gaat de transistor kapot !